六方氮化硼(h-BN,BN2A1)
六方氮化硼是一种直接带隙约为5.9 eV的半导体，已被广泛用作绝缘体，用于生产由各种2D半导体（例如WSe2，MoSe2等）组成的超高迁移率2D异质结构。相互作用，可以剥落到2D薄层中，直至单层h-BN。
HQ石墨烯的h-BN晶体的典型横向尺寸约为0.1厘米，并且是透明的。单晶h-BN是极好的绝缘体，其击穿电压非常大（> 0.4 V / nm）。可以将大面积的h-BN单晶剥落到基板上（例如SiO2，石英，聚合物等）。对于厚度为几十纳米的晶体，尺寸范围约为100微米。可以在下面找到关于我们出售的六方氮化硼的同行评审出版物。
h-BN晶体性质
晶体尺寸
1 mm
电性能
绝缘体/半导体
晶体结构
六角形
晶胞参数
a = b = 0.2502 nm, c = 0.6617 nm, α = β =90°, γ = 120°
类型
合成的
纯度
A级
特点是
XRD, Raman, EDX
单晶h-BN的特征在于：
XRD：单晶和粉末X射线衍射（D8 Venture Bruker和D8Advance）
EDX：用于化学计量分析的能量色散X射线光谱
规格参数
