型号：P200L
周期：200nm
线宽：100nm +/-10%
高度：150nm +/-15%
有效面积：φ94mm
基底：P-Si (Boron) <100>, wafer diameter 100±0.5 mm, and 0.525 ± 0.025 mm thick, 1-10 ohm-cm resistivity
Defect area:＜1% of active area
型号：P200L
周期：200nm
线宽：100nm +/-10%
高度：150nm +/-15%
有效面积：φ94mm
基底：P-Si (Boron) <100>, wafer diameter 100±0.5 mm, and 0.525 ± 0.025 mm thick, 1-10 ohm-cm resistivity
Defect area:＜1% of active area
规格参数
