最大曝光面积：200×200mm² 最大基板尺寸:9”x 9” 多个写模式 最小特征尺寸：最小可达300nm 最大书写速度（4μm分辨率下）:2000mm2/min 地址网格降至5nm 灰度曝光模式，高达1000灰度 矢量和栅格扫描曝光模式 多数据输入格式 前后对齐 人工气候室 激光波长(405nm或375nm、两种选择) 实时自动对焦系统 脚本兼容 测量和检验的一体化摄像系统
DWL 66+激光光刻系统是最具经济效益、具有高分辨率的图形发生器。适用于小批量掩膜版制作和直写需求。DWL 66+拥有多种选配模块，例如:正面和背面对准系统;405nm和375nm波长的激光发生器;进阶选配:绝对位置精度校准和自动上下版加载系统。
更值得关注是DWL 66+在灰度曝光模式下的完美表现，从标准到专业水平的终极性能展现，这种多功能技术对于低对比度正型光刻的厚胶工艺，可以创建复杂2.5D微结构，常用于微透镜、DOE、全息图(CGHs)和纹理表面结构等科研领域。
DWL 66+的高度灵活和可定制的解决方案，专门为您的应用量身定做，已成为生命科学、先进封装、MEMS、微光学、半导体和所有其他需要微结构的应用中必不可缺少的光刻研究工具。
规格参数
