超平SiNx涂层基底
超平SiNx衬底由超平硅晶片组成，表面涂有200 nm非晶非化学计量超低应力氮化硅。超平SiNx基板采用6”晶圆，可切割5 x 5 mm、5 x 7 mm和10 x 10 mm尺寸。
晶圆是隐形切割的，这是一种特殊的清洁切割工艺，可以生产无碎屑的基板。所有产品均在10级洁净室条件下包装。
特性：
- Material: CZ Virgin Silicon
- Wafer Grade: Prime
- Diameter: 150mm
- Orientation: <100>
- Type/Dopant: P/Boron
- Resistivity: 10-20 Ohm-cm
- Thickness: 675 +/- 25µm
- TTV: ≤2µm
- Site Flatness: ≤1µm
- Warp: ≤30µm
- Bow: ≤20µm
- Front Surface: Polished
- Back Surface: Etched
- Flat: 1 per SEMI Standard
- 2000A +/- 100A SiNx
规格参数
