超平热氧化SiO2基底
超平SiO2基底由超平硅晶片上的200 nm热生长非晶SiO2膜组成。SiO2是最具特性的材料之一，广泛用于半导体制造、薄膜研究和作为生长细胞的基底。它可以直接用作AFM和SEM成像的基底。超平导热二氧化硅基板采用6”晶圆，可切割为5 x 5 mm、5 x 7 mm和10 x 10 mm芯片。
特殊的清洁切割工艺包括在切割前用光致抗蚀剂涂覆晶片，并在切割后将其去除，从而产生无碎屑的SiO2基板。所有产品均在10级洁净室条件下包装。特性：
- Material: CZ Virgin Silicon Wafer
- Grade: Prime
- Diameter: 150mm
- Orientation: <100>
- Type/Dopant: P/Boron
- Resistivity: 10-20 Ohm-cm
- Thickness: 675 +/- 25µm
- TTV: ≤2µm
- Site Flatness: ≤1µm
- Warp: ≤30µm
- Bow: ≤20µm
- Particles: ≤20@≥0.2µm
- Front Surface: Polished
- Back Surface: Etched
- Flat: 1 per SEMI Standard
- 2000A +/- 5% Thermal Oxide
规格参数
